P1: Quina diferència hi ha entre l'eficiència lumínica d'un únic LED i la d'una làmpada feta de llums LED?
R: Per a un LED específic, hi ha un biaix directe definit, com ara corrent directe IF=20mA (corresponent VF ≈ 3,4 V) i el flux de radiació mesurat φ=1,2 lm, després el lumen L'efecte del LED és η=1.2LM × 1000/3.4V × 20mA=1200/68≈17.6LM/W. Òbviament, per a un únic LED, per exemple, la potència elèctrica aplicada Pe=VF × IF, el flux de radiació mesurat a aquesta potència es convertirà en lúmens per watt, que és l'efecte lumen d'un únic LED.
Tanmateix, com a llum, no importa la potència VF a la unió LEDPN en realitat × Què és IF? L'energia elèctrica del llum és sempre el port d'entrada del llum. Inclou el consum d'energia del departament d'alimentació (com ara el regulador de tensió, l'estabilitzador de tensió, el rectificador de CA al departament d'alimentació de CC, etc.). La presència d'un circuit d'accionament a la làmpada farà que la seva eficiència lumínica sigui inferior a la del LED únic que s'està provant. Com més gran sigui el consum del circuit, menor serà l'efecte lumen, per la qual cosa és extremadament important trobar un circuit de controlador LED eficient.
P2: Quina és la temperatura de la unió del LED? Quin efecte té l'alta temperatura d'unió al LED?
R: L'estructura base del LED és una unió PN semiconductora. Quan el corrent flueix pel dispositiu LED, la temperatura de la unió PN augmentarà. En sentit estricte, la temperatura de l'àrea de la unió PN es defineix com la temperatura de la unió del LED. En general, com que el xip del dispositiu és molt petit, també podem prendre la temperatura del xip LED com a temperatura de la unió.Làmpada de rentat de paret LEDpreu
Quan la temperatura de la unió PN (com la temperatura de la closca) augmenta, la ionització de les impureses a la unió PN s'accelera i l'excitació intrínseca s'accelera. Quan la concentració de portadors composts generats per l'excitació intrínseca és molt superior a la concentració d'impureses, amb la disminució de la velocitat de migració, la influència de l'augment del nombre de portadors intrínsecs és més greu que la de la transició de resistivitat dels semiconductors, donant lloc a efecte quàntic intern. L'augment de la temperatura condueix a la disminució de la resistivitat, donant lloc a la disminució de la VF en les mateixes condicions de freqüència intermèdia. El LED impulsat per la font de corrent constant IF no s'ha eliminat. La disminució de VF augmentarà l'índex IF. Aquest procés duplicarà la temperatura de la unió LEDPN i, finalment, l'augment de la temperatura abastarà la gran temperatura de la unió, donant lloc a l'efecte LEDPN apagat. Aquest és un procés maligne de retroalimentació positiva. Preu dellum de rentat de paret exterior
L'augment de la temperatura a la unió PN fa que el procés d'emissió de fotons de la reacció de recombinació d'electró/forat excitat a la unió PN del semiconductor degeneri del nivell d'energia alt al nivell d'energia baix. Això es deu al fet que quan augmenta la temperatura a la unió PN, augmenta l'amplitud de la xarxa semiconductora, augmentant així l'energia de vibració. Quan se supera el valor necessari, l'electró/forat intercanviarà energia amb l'àtom (o ió) de la xarxa i passarà de l'estat excitat a l'estat fonamental, convertint-se així en una transició sense radiació de fotons, i la funció òptica del LED declivi.
A més, la temperatura de la unió PN també pot desencadenar la ionització d'impureses en els ions d'impureses dels semiconductors del camp de la gelosia, provocant la fissió horitzontal dels ions, que tendeix a ser estable sota la influència de la temperatura de la unió PN, el que significa que la gelosia. La vibració canvia la seva simetria de gelosia, els nivells d'energia disparador i l'espectre de transició electrònica a causa de la influència de la temperatura, per això la longitud d'ona de la llum LED canvia amb l'augment de la temperatura de la unió PN.
En conclusió, l'augment de temperatura de la unió LEN PN comportarà la transformació de les seves funcions elèctriques, òptiques i tèrmiques. L'augment excessiu de la temperatura també canviarà les propietats físiques dels materials d'embalatge LED (com la resina epoxi, el fòsfor, etc.), provocant una fallada del LED. Per tant, reduir l'augment de temperatura de la unió PN és el punt clau per utilitzar LED.
P3: Què és la trituració electrostàtica? Quin tipus de LED és fàcil de danyar per l'electricitat estàtica i provocar una fallada?
R: L'electricitat electrostàtica està formada per acumulació de càrrega. A la vida diària, especialment en un clima sec, la gent sentirà "descàrrega elèctrica" en tocar portes i finestres, que és la "descàrrega" de l'electricitat estàtica acumulada a les portes i finestres fins a cert punt. Per a teixits de llana i productes de fibra química de niló, la tensió d'acumulació d'electricitat estàtica pot arribar a ser de 10.000 volts. La tensió és molt alta, però la potència d'electricitat estàtica no és gran, cosa que no amenaçarà la vida, sinó fins i tot la vida. Tanmateix, alguns equips electrònics faran que l'equip es redueixi.